时间回到一周前,叶天河去找人的时候,叶成便在思考究竟如何实现计算器的集成电路。
如果搓硅片的话,现在的水平有点太不够了,很难凭借手来操作这么精细的东西,而用别的,考虑到效率问题,也不好弄。
叶成只好问徐潜,有没有什么传递很快的东西。
徐潜思考了一番之后,说道:
“法器里面的灵力传递就很快。”
叶成做了两天实验,发现法器里面灵力传递的速度确实很快,只是不知道是什么原理,但是管他什么原理。
然后叶成又向徐潜解释了一下mos(金属-氧化物半导体)结构的原理。
大概是说,不同的电压,会决定电路会不会导通。
比如,nmos,高于阈值电压,电路会导通,低于阈值电压,电路会绝缘。
而pmos,则恰恰相反,高于阈值电压电路会绝缘,低于阈值电压,电路会导通。
n指的是n型掺杂,简单理解就是在硅晶体中掺入磷原子。
而众所周知,硅原子的最外层电子数为4个,硅晶体呈现以下排布方式:
:硅:硅:硅:硅:
(··)(··)(··)(··)
:硅:硅:硅:硅:
(··)(··)(··)(··)
:硅:硅:硅:硅:
(示意图,··:代表电子对)
每个硅周围有八个电子,两两之间共用电子对。
而如果掺入磷原子,磷原子的最外层电子数为5,和周围共用之外,还会多出一个电子,而在电路中,这个电子会被正极所吸引形成电流,这就是所谓的n型掺杂。
硼原子的最外层电子数为3,和周围的硅原子共用电子对,少一个电子,就是所谓的p型掺杂。
因此,用p和n组合形成pmos和nmos,才会又完全相反的性质。
而将pmos和nmos的漏极连接起来,就组成了cmos。
简单地说,将cmos的源极接入电源,将cmos的栅极连接为A,漏极连接为b,就能组成一个非门。
意思就是输入端A为高压,b端则会输出低压。
而输入端A为低压,b段则会输出高压。
将高压定为1,低压定为0。
就是输入1,输出0,输入0,输出1。
叶成将上面的东西讲给徐潜,徐潜思考了很久。
究竟什么物质,才能使得灵力的传递路线呈现这样的结构和性质?
徐潜思索半天之后,并无所获,因为在实际的运用中,炼器使用的自然是亲灵力的材质,灵力在之中非常顺畅,不可能出现这种半导体的性质。
好在两人等到了专业团队的到来,不然真不知道该怎么弄。
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